GaAs

Fabrication of GaAs based device 3 with two working volumes and with diverse dimensions and concentrations of the conduction electrons enables to generate an electromagnetic radiation in a wider frequency band as compared to the first version.

Выполнение прибора 3 на основе структуры GaAs с двумя рабочими объемами с разными размерами и концентрацией электронов проводимости обеспечивает генерацию электромагнитного излучения в более широком диапазоне частот, чем в первом случае.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

The reflective layer 6 is located on the side of the substrate 7 of the n-type GaAs.

Отражающий слой 6 расположен со стороны подложки 7 из п-типа GaAs.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

In this case the auxiliary adjusting layers 18 and 19 were made of GaAs with equal thicknesses of 0.24 im.

При этом вспомогательные настроечные слои 18 и 19 были выполнены из GaAs с одинаковыми толщинами равными 0,24 мкм.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

The main adjusting layers 8 and 9 had the same thicknesses of 0.04 (.un and were grown of GaAs.

Основные настроечные слои 8 и 9 имели одинаковые толщины по 0,04 мкм и были выращены из GaAs.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

GaAs or GaInAs photocathodes;

фотокатоды на GaAs или GaInAs ;

© Организация Объединенных Наций, 2010 год

http://www.un.org/ 14.10.2010

© United Nations 2010

http://www.un.org/ 14.10.2010