floating gate

At the same time, highsensitive one-transistor cell with piezoelectric floating gate (1) provides for fast registration of the resilience wave induced by application of reading potentials to ferroelectric memory cell (1a).

В то же время, высокочувствительная одно-транзисторная ячейка с пьезоэлектрическим плавающим затвором (1) позволяет быстро регистрировать волны упругой деформации, вызванные приложением считывающих потенциалов к ферроэлектрической ячейке памяти (1a).

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

The floating gate (1) is made on the base of hard solution of plumbum (Pb) zirconate-titanate Pb(ZrTi)O3 (PZT) and is a piezoelement separated from the conductive channel by the dielectric layer (3), made from silicon oxide.

Плавающий затвор (1) изготовлен на основе твердого раствора цирконат-титанат свища Pb(ZrTi)Oз (PZT) и является пьезоэлеменгом, который отделен от проводящего канала диэлектрическим слоем (3), выполненным из окиси кремния.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

The resilience causes the charge on the surface of the piezoelement that is at the same time the transistor floating gate.

Данная упругая деформация вызывает возникновение заряда на поверхности пьезоэлемента, который одновременно является плавающим затвором транзистора.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

In this case field transistor with the piezoelectric floating gate (1) is a transducer of resilience or acoustic waves generated by the memory cell (1a) under the conditions of applied reading potential.

В этом случае полевой транзистор с пьезоэлектрическим плавающим затвором (1) является датчиком упругих деформаций или акустических волн, генерируемых ячейкой памяти (Ia) при приложении к ней считывающего потенциала.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Thus the memory cell (1a) is the zone for data storage while the field transistor with the floating gate (1) is the reading zone.

Таким образом, ячейка памяти (Ia) является зоной хранения информации, в то время как полевой транзистор с плавающим затвором (1) является зоной считывания.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011