inclusion

In the division wall, there are peripheral bypass channels for inlet of clouds and solid inclusions into the upper mass-exchange chamber.

В перегородке выполнены перепускные каналы по периферии для пропуска сгустков и твердых включений в верхнюю камеру массообмена.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

The proof that this d has the desired properties depends on the inclusions (F).

Доказательство того, что d обладает нужными свойствами, основывается на включении (F).

Rudin, Walter / Functional analysisРудин, У. / Функциональный анализ

Функциональный анализ

Рудин, У.

© Перевод на русский язык, «Мир», 1975

Functional analysis

Rudin, Walter

© 1973 by McGraw-Hill, Inc.

The size of inclusions has to be not too big (above 10 |.im) because in this case inhomogeneous structure of the product is noticeable.

Размер включений не может быть слишком большим (более 10 мкм), так как становится заметной неоднородность получаемого продукта.

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

In average, the values for the vertical bar of the marker will make about 130 (to the right from 102), and for the horizontal marker bar, the average values will be 60 that corresponds to SSC-low, i.e. the cells with minimum cell inclusions.

В среднем, для вертикальной планки маркера, значения будут около 130 (правее 102), а для горизонтальной планки маркера средние значения составят 60, что соответствует понятию SSC-low, т.е. клетки с минимальным количеством клеточных включений.

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

You have to know that x-radiography is excellent for revealing voids and inclusions, but poor at finding cracks except at certain chance alignments, and ultrasound is optimum for just those laminar discontinuities x-rays are most likely to miss.

Вы должны помнить, что рентгенография служит прекрасным средством для выявления пустот и включений, но недостаточна для определения трещин, а ультразвук лучше всего обнаруживает такие послойные нарушения, которые рентгеновские лучи могут пропустить.

Bujold, Lois McMaster / Falling FreeБуджолд, Лоис Макмастер / В свободном падении

В свободном падении

Буджолд, Лоис Макмастер

© 1988 by Lois McMaster Bujold

© 1996, АСТ

© Н. Кудряшов, перевод

Falling Free

Bujold, Lois McMaster

© 1988 by Lois McMaster Bujold

When the temperature is 250° C., a film of nanocrystalline silicon, i.e., silicon with crystalline inclusions of nanometric size, is formed on the substrate distant from the plasma generation zone.

При температуре подложки 250°С на подложке, удаленной от зоны образования плазмы, образуются пленка нанокристаллического кремния, то есть кремния с кристаллическими включениями нанометровых размеров.

http://www.patentlens.net/ 1/4/2012

http://www.patentlens.net/ 1/4/2012

In some embodiments the plates 2 are made of dielectric or semiconductor, they should contain nano-dimensional conductive inclusions 4, which should be connected to the corresponding electric contacts (the common electric bus 1).

В том случае, когда такие пластины состоят из диэлектрика или полупроводника, они должны содержать наноразмерные токопроводящие включения, которые должны быть подключены к соответствующим электрическим контактам.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The use of the concentrated blends or master batches allows optimizing size of inclusions of additives in the polymeric material.

Приготовление концентрированных смесей добавок позволяет оптимизировать размер включений добавок в полимерный материал.

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

Key words: atherosclerosis, mesenteric arteries, elevated inclusions.

Ключевые слова: атеросклероз, мезентериальные артерии, возвышающиеся поражения.

© Copyright 1998-2010 Russian society of Angiogitst & Vascular surgeons

http://www.angiolsurgery.org/ 26.07.2007

© Copyright 1998-2010 Russian society of Angiogitst & Vascular surgeons

http://www.angiolsurgery.org/ 26.07.2007

In this case, for achievement of the hydroelectric effect, it is enough if their surfaces, contacting with the water-containing layer (one or both), have conductive inclusions—parametrical heterogeneities.

В этом случае для достижения гидроэлектрического эффекта достаточно, чтобы их поверхности, контактирующие с водосодержащим слоем (одна или обе), имели токопроводя- щие включения - параметрические неоднородности.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The size of inclusions has to be not too small (below 0.1 (.un) because in this case deposition rate of additives at equipment walls is too slow.

Размер включений не может быть слишком малым (менее 0,1 мкм), так как в этом случае значительно снижается скорость осаждения добавок на стенки формующего устройства.

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

For optimal size of inclusions (from 0.1 to 10 (.un) an amount of additives in thermoplastic material has to be not less then 0.001 weight % and not above 10 weight %.

При оптимальном размере включений (от 0,1 до 10 мкм) доля добавок в термопластичном материале не может быть ниже 0,001 вес % или более 10 вес.%.

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

http://www.patentlens.net/ 12/1/2011

In protoplasm of bacterial cells of the strain after the growth in glucose agar media the inclusions of poly-r-hy- droxy-butyric are not detected.

В протоплазме штамма после роста на глюкозном агаре не обнаруживаются включения поли-р-оксимасляной кислоты.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

In turn, the surfaces of the specified conductive inclusions contacting with the water-containing layer, should be nano-dimensional and/or have nano-dimensional heterogeneities.

В свою очередь поверхности указанных токопроводящих включений, контактирующие с водосодержащим слоем, должны быть наноразмерными и/или иметь наноразмерные неоднородности.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

Diffraction centers may be formed within the semiconductor bulk as clusters, inclusions, etc., including but not limited to heterojunctions and nanoparticles.

Дифракционные центры могут быть сформированы в объеме полупроводника в виде кластеров, включений и др., в т.ч. гетеропереходы и наночастиц.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011