doping

It is advisable to perform the implantation of doping additives into the crystal lattice by using modifier ions with energy lees than 10 keV, preferably 5-6 keV.

Разумно имплантацию примесных добавок в кристаллическую решетку осуществлять путем использования ионов модификатора с энергией менее 10 кэВ, преимущественно, 5-6 кэВ.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Said methods are disadvantageous by considerable limitation of their use in case of some diseases, particularly hepatic diseases, ranking with the group of doping preparations, origination of side effects in sustained administration.

К недостаткам известных способов относится существенное ограничение их применения при ряде заболеваний, в частности - печени, отнесением в группу допинговых препаратов, возникновением побочных эффектов при длительном назначении.

http://www.patentlens.net/ 12/17/2011

http://www.patentlens.net/ 12/17/2011

Boron ions or ions of precious metals are useful doping additives.

В качестве примесных добавок целесообразно использовать ионы бора или инертных (преимущественно, благородных) металлов.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

In the asymmetric Laser the leak-in region can be one, being located on one side of the active layer, for the most part on the side of the n-type doping.

В асимметричном Лазере область втекания может быть одна, при этом она расположена по одну сторону от активного слоя, преимущественно на стороне п-типа легирования.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

The method of claim 1, wherein the doping additives are implanted into the crystal lattice by using modifier ions with energy less than 10 keV, preferably 5-6 keV.

Способ по п.1, отличающийся тем, что имплантацию примесных добавок в кристаллическую решетку осуществляют путем использования ионов модификатора с энергией менее 10 кэВ, преимущественно, 5-6 кэВ.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

A high content of the free majority charge carriers, i.e. electrons in the n+ layer substantially alters the reflectivity of silicon: the higher the doping level is, the higher the reflection index

Высокое содержание свободных основных носителей зарядов ОНЗ - электронов п+ слое существенно изменяет отражающую способность кремния: чем выше уровень легирования, тем выше коэффициент отражения

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

It is advisable to perform the implantation of doping additives into the crystal lattice by using modifier ions with energy less than 10 keV, preferably 5-6 keV.

Разумно имплантацию примесных добавок в кристаллическую решетку осуществлять путем использования ионов модификатора с энергией менее 10 кэВ, преимущественно, 5-6 кэВ.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

In the asymmetric SAE there can be one leak-in region located on one side of the active layer, for the most part on the side of the n-type of doping.

В асимметричном ПУЭ область втекания может быть одна, при этом она расположена по одну сторону от активного слоя, преимущественно на стороне n-типа легирования.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

A second approach to improving electron conduction is the introduction of impurities, or doping, i.e., the partial substitution of structure-forming ions by other ions, as a rule, in a different charge state.

Второй путь улучшения электронной проводимости - это легирование, или допирование, т.е. частичное замещение структурообразующих ионов на другие ионы, как правило, в ином зарядовом состоянии.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

The method of claim 1, wherein boron or precious metal ions are used as the doping additives.

Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве примесных добавок используют ионы бора или ионы инертных металлов.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

In such converters, a series of layers is formed by successive doping, each pair of which, when progressively switched, increase the open-circuit voltage approximately by the contact voltage drop value.

В таких преобразователях путем последовательного легирования формируется последовательность слоев, каждая пара из которых при последовательной их коммутации повышает напряжение холостого хода примерно на контактную разность потенциалов.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Selective absorption of laser radiation in the optical extension 9 and/or the immersion element 10 is provided, for example, by including doping ions of rare-earth elements into the composition.

Селективное поглощение излучения оптическими деталями 9 и/или иммерсионными элементами 10 обеспечивается, например, путем включения в их состав примесей ионов редкоземельных элементов.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

The term "junction" is used to refer both to the device as a whole and, more specifically, to the transition region about x = 0 in which the doping profile is nonuniform.

Термин «переход» используется как для обозначения устройства в целом, так и в более узком смысле — для обозначения переходной области вблизи х = 0, где профиль легирования неоднороден.

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д. / Физика твердого телаAshcroft, Neil,Mermin, David / Solid state physics

Solid state physics

Ashcroft, Neil,Mermin, David

© 1976 by Harcourt, lnc

Физика твердого тела

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д.

However, molybdenum is not a "good" doping element for the mass production of lithium-titanium spinel, as the cost of its reagents is high.

Однако молибден не является "хорошим" легирующим элементом для массового производства литий-титановой шпинели, поскольку стоимость его реактивов высокая.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

In the SAE involved in the asymmetric SOA the leak-in region can be one, being located on one side of the active layer, for the most part on the side of the n-type of doping.

В асимметричной ПУЭ область втекания может быть одна, при этом она расположена по одну сторону от активного слоя, преимущественно на стороне n-типа легирования.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011