incident radiation

The closer to the surface of semiconductor 3 the nanoparticles are, the more strongly the energy density of the re-emitted electromagnetic radiation is increased, as compared with the energy density of incident radiation 7.

Чем ближе к поверхности полупроводника 3 наночастицы, тем сильнее увеличивается плотность энергии переизлученного электромагнитного излучения по сравнению с плотностью энергии падающего излучения 7.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The metal nanoparticles closed in the polymer envelope absorb incident radiation 7 and re-emit part of it in the form of a spherical wave.

Заключенные в полимерную оболочку металлические наночастицы, поглощают падающее излучение 7 и переизлучают его часть в виде сферической волны.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

In this case, it was shown that when one takes into account the fact that the incident radiation is actually distributed over a range of frequencies, the energy absorbed comes out proportional to the time of irradiation.

Там было показано, что если принять во внимание действительное распределение падающего излучения по конечной области частот, то величина поглощенной энергии, оказывается, растет пропорционально первой степени времени облучения.

Bohm, David / Quantum TheoryБом, Д. / Квантовая теория

Квантовая теория

Бом, Д.

Quantum Theory

Bohm, David

© renewed 1979 by David Bohm.

© 1951 by Prentice-Hall, Inc.

Various types of photoresists have a noticeable threshold effect to respective incident radiation.

Достаточно четко выраженным пороговым эффектом по отношению к дозе падающего излучения обладают многие типы фоторезистов.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

FIG. 8 is the projection of the hologram system and images produced by holograms in a photoresist coated substrate from the side of the incident radiation beam.

Фиг. 8 представляет собой проекцию системы голограмм и образованных ими на покрытой фоторезистом подложке изображений со стороны падающего пучка излучения.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Thus, the nanoparticles “concentrate” the near-zone incident radiation like ordinary lenses or optical resonators.

Таким образом, наночастицы «кoнцeытpиpyют» падающее излучение ближайшей зоны как обычные линзы или оптические резонаторы.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The surface of the converter that directly receives the incident electromagnetic radiation in the absence of said confining layers will be understood to be the front surface, to which one or several confining layers may be applied.

Под лицевой поверхностью, на которую может наноситься один или несколько удерживающих слоев, будет пониматься поверхность преобразователя, непосредственно воспринимающая падающее электромагнитное излучение в отсутствие указанных удерживающих слоев.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

At a power of the broadband incident electromagnetic radiation of 10 mWt, a photocurrent of about 0.2 mA was observed for silicon without nanoparticles and 0.55 mA in the presence of silver nanoparticles.

При мощности широкополосного падающего электромагнитного излучения 10 мВт наблюдался фототок около 0.2 мА для кремния без наночастиц и 0.55 мА при наличии серебряных наночастиц.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

A photosensitive layer 3, in which the generation of a photocurrent takes place upon absorption of incident electromagnetic radiation due to the presence in layer 3 of at least one p-n transition, is disposed on substrate 2.

На подложке 2 располагается фоточувствительный слой 3, в котором происходит генерация фототока при поглощении падающего электромагнитного излучения за счет наличия в слое 3 по крайней мере одного р-n перехода.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

In one of the preferred instances of the realization of the invention, said metallic nanoparticles are disposed on the front side of the converter that receives the incident electromagnetic radiation.

В одном из предпочтительных частных случаев реализации изобретения указанные металлические наночастицы расположены с лицевой, воспринимающей падающее электромагнитное излучение, стороны преобразователя.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

In another preferred instance of the embodiment of the invention, said nanoparticles are disposed on the back side of the converter, opposite the side that receives the incident electromagnetic radiation.

В другом предпочтительном случае осуществления изобретения указанные наночастицы расположены с тыльной стороны преобразователя, противоположной стороне, воспринимающей падающее электромагнитное излучение.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

A reference mirror 13 placed in the reference arm 5 reflects the low-coherence optical radiation incident onto it back into the reference arm 5.

Референтное зеркало 13, установленное в референтном плече 5, отражает падающее на него низкокогерентное оптическое излучение обратно в референтное плечо 5.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011