инжекционный лазер

Для увеличения эффективности и мощности излучения ПОУ задающий инжекционный лазер предпочтительно выбирают в виде предложенного в настоящем изобретении Лазера, рассмотренного ранее на стр. 11 - 17.

To increase the efficiency and output power of the SOA, the master injection laser is preferably chosen as the Laser proposed in the present invention and considered above on pp. 9-13.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

В то же время инжекционный лазер-прототип в определённой степени ограничивает достижение низких пороговых токов генерации, высокой эффективности и мощности при одновременно высоких пространственных характеристиках лазерного излучения.

At the same time the prototype injection laser to a certain degree limits the attainment of low lasing threshold currents, as well as high efficiency and power of laser emission together with its high spatial characteristics.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 15, отличающийся тем, что инжекционный лазер выполнен по п.9.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 15 wherein the injection laser made as defined in claim 9.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Инжекционный лазер по п.9, отличающийся тем, что в области пороговых токов лазерной генерации отношения пЭф к пвт определены из интервала примерно от 1,005 до примерно 0,995.

The injection laser as defined in claim 9 wherein in the field of lasing threshold currents the ratios of n^ to nw is determined from the range from about 1.005 to about 0.995.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

ГЕТЕРОСТРУКТУРА, ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ

HETEROSTRUCTURE, INJECTOR LASER, SEMICONDUCTOR AMPLIFYING ELEMENT AND A SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER A FINAL STAGE

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Основное отличие предложенного инжекционного лазера (далее Лазер) состоит в модернизации области втекания и активного слоя ГС на основе которой изготовлен Лазер.

The main distinction of the proposed injection laser (hereinafter referred to as the Laser) consists in modernization of the leak-in region and the active layer of the HS, based on which the Laser is manufactured.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Поставленная техническая задача решается также тем, что для получения на выходе ПОУ усиленного излучения высокого качества задающий источник входного излучения выполняют в виде инжекционного лазера.

In the preferred embodiment for obtaining high-quality amplified emission at the SOA output the master source of input emission is made as an injection laser.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 15, отличающийся тем, что задающий источник входного излучения выполнен в виде инжекционного лазера.

The semiconductor optical amplifier as defined in claim 15 wherein the said master source of input emission made as an injection laser.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно, к эффективным, мощным и компактным полупроводниковым инжекционным лазерам (диодным лазерам) в широком диапазоне длин волн.

The invention relates to optoelectronic technology, namely—to the effective powerful and compact semiconducting injection lasers (diode lasers) operating in a broad range of wavelengths.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011