MCC

Preferred constructive solutions comprise small-sized (discrete or narrow and thin line, whisker, strip) collecting regions wherein the distances between the current-collecting and current-pickup elements are comparable to the MCC diffusion range.

Предпочтительные конструктивные решения — это малого размера (дискретные или узкие и тонкие линейчатые, усовидные, полосковые) собирающие области с расстояниями между токосборными и токосъемными элементами, сравнимые с диффузионным пробегом ННЗ.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Deflecting regions and bias voltage supply either enhances or weakens the MCC generation and recombination processes.

Отклоняющие области и подача на- пряжения смещения усиливают или ослабляют процессы генерации и рекомбинации ННЗ.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

The distance between the quantum traps is commensurable with the MCC diffusion length, i.e. the length satisfying the basic inequality for PEC F<2f.

Расстояние между квантовыми ловушками соизмеримо с длиной диффузии ННЗ, т.е. соответствующей основному неравенству ФЭП Г < 2f .

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

No, or considering a small marginal diffraction, insignificant MCC generation takes place under the buses which form the shading regions.

Под шинами, образующими области затенения, генерация ННЗ не происходит или, если учесть небольшую краевую дифракцию, то генерация происходит незначительно.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Thus, MCC destruction under exposure to the incident EMR is explained by the negligibly short lifetimes and accordingly short lengths of their diffusion ranges.

Таким образом, причиной гибели ННЗ в условиях воздействия падающего ЭМИ являются ничтожно малые времена жизни - и соответственно малые длины их диффузионных пробегов.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

In the general case, the analysis of the SC made according to the invention testifies that under the influence of a radiation quantum the MCC generation occurs anywhere throughout the substrate, whether in the n-layer or the p-layer.

В общем случае, анализ СЭ выполненных согласно изобретения, свидетельствует о том, что под действием кванта излучения образование ННЗ происходит в любом месте подложки: хоть в п слое, хоть в р слое.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

As in other cases, the distance between the collecting elements and pickup buses on the first and second sides satisfies the basic inequality for PEC and amounts to less than the doubled MCC diffusion length, i.e. F<2f.

Расстояние между собирательными элементами и съемными шинами на первой и второй стороне как и в других случаях соответствует основному неравенству ФЭП и составляют менее удвоенной диффузионной длины ННЗ, т.е. F < 2f .

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

The distance between the quantum traps is commensurable with the MCC diffusion length, i.e. meets the above PEC basic inequality F<2f.

Расстояние между квантовыми ловушками соизмеримо с длиной диффузии ННЗ, т.е. соответствующей упомянутому выше основному неравенству ФЭП F < 2f .

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

The deflecting built-in fields generated owing to the deflecting regions 6, 6a will readily and efficiently eliminate the MCC recombination MC making it possible to control the efficiency of the PEC operation.

Отклоняющие встроенные поля, образующиеся в связи с введением отклоняющих областей 6, 6а просто и эффективно устраняют рекомбинацию ННЗ, позволяют регулировать эффективность работы ФЭП.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Non-equilibrium minority charge carriers (MCC)—electron-hole pairs (EHP) which are caused to separate by diffusion are formed within the semiconductor bulk as the EMR is absorbed.

При поглощении ЭМИ в объеме полупроводника образуются неравновесные неосновные носители заряда (ННЗ) - электронно-дырочные пары (ЭДП), которые разделяются посредством диффузии.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Limited Liability Company MCC "Bereke-Baylyk" (Account Registration Certificate No.150 dated August 08, 2008 for micro crediting individuals and legal entities).

ОсОО МКК "Береке-Байлык" (свидетельство об учетной регистрации № 150 от 08.08.2008г на микрокредитование физических и юридических лиц).

http://www.nbkr.kg/ 12/21/2011

http://www.nbkr.kg/ 12/21/2011

The SASBM is formed by means of incorporation and combination within the surface structure of any inhomogeneities combined into a single current node and affecting the non-equilibrium MCC concentration gradient.

СИПОМ образуется путем введения и объединения в структуре поверхности любых неоднородностей, объединенных в один токовый узел и влияющих на градиент концентрации неравновесных ННЗ.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

However, the main distinction of the inventive PEC consists in negligibly small distances between the current collectors allowing MCC with negligibly small lifetimes to be collected.

Однако, при этом основным отличием в ФЭП по изобретению являются ничтожно малые расстояния между токосборниками, позволяющие провести сбор ННЗ с ничтожно малыми временами жизни.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

As this takes place, MCC are trapped by the p-n-junction field and pass into the opposite-conductivity region to become majority carriers and accumulate at the current-collecting electrodes.

При этом ННЗ захватываются полем p~п перехода, переходят в область противоположной проводимости, где они становятся основными и собираются на токосборных электродах.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

In this case, no doped front layer in involved in the current collection by the MCC, i.e. in the element internal resistance, therefore it may be formed thin and moderately doped.

В данном случае легированный фронтальный слой не участвует в токосборе ННЗ, т.е. во внутреннем сопротивлении элемента, поэтому он может быть сформирован тонким и умеренно легированным.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011