charge carrier

Such semiconductors have high sensitivity to resilience and at the same time are characterized by high mobility of charge carriers.

Такие полупроводники обладают высокой чувствительностью к упругим деформациям и одновременно характеризуются высокой подвижностью носителей заряда.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Alternatively, the value of f may comprise a certain small quantity in excess of the diffusion length of the non-equilibrium minority charge carriers.

Как вариант величина f может быть на некоторую малую величину Δ быть больше диффузионной длины неравновесных не основных носителей заряда.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Non-equilibrium minority charge carriers (MCC)—electron-hole pairs (EHP) which are caused to separate by diffusion are formed within the semiconductor bulk as the EMR is absorbed.

При поглощении ЭМИ в объеме полупроводника образуются неравновесные неосновные носители заряда (ННЗ) - электронно-дырочные пары (ЭДП), которые разделяются посредством диффузии.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

a second heavily-doped region having the same conductivity type as the substrate located under the said first region, which forms a first potential barrier for the charge carriers generated in the substrate region under the first barrier;

вторую высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой первой областью и формирующую первый потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под первым барьером;

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

The reason for the low electron conduction is the absence of charge carriers in the structure of this substance, making it virtually a dielectric.

Причиной низкой электронной проводимости является отсутствие носителей заряда в структуре этого вещества, делающее его практически диэлектриком.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

A high content of the free majority charge carriers, i.e. electrons in the n+ layer substantially alters the reflectivity of silicon: the higher the doping level is, the higher the reflection index

Высокое содержание свободных основных носителей зарядов ОНЗ - электронов п+ слое существенно изменяет отражающую способность кремния: чем выше уровень легирования, тем выше коэффициент отражения

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

EMR is understood as electromagnetic radiation able to generate non-equilibrium minority charge carriers in the converter;

ЭМИ - электромагнитное излучение, способное образовать неравновесные не основные носители зарядов в преобразователе.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Such heterostructures (9, 10) have higher resilience sensitivity and are characterized by high level of mobility of charge carriers.

Такие гетероструктуры (9, 10) обладают более высокой чувствительностью к упругим деформациям и характеризуются высокой подвижностью носителей заряда.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Preferably, the semiconductor substrate thickness does not exceed f, where f is a quantity commensurable with or equal to the diffusion length of non-equilibrium minority charge carriers.

Предпочтительно толщина полупроводниковой подложки не превышает f, где f - величина соизмеримая с диффузионной длиной или равная диффузионной длине неравновесных не основных носителей заряда.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

There are three important points to grasp in understanding how the electrons in a band can contribute to currents in a manner suggestive of positively charged carriers.

Чтобы понять, почему электроны в зоне проводимости могут давать такой вклад в ток, как если бы они были положительно заряжены, нужно учесть три важных обстоятельства.

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д. / Физика твердого телаAshcroft, Neil,Mermin, David / Solid state physics

Solid state physics

Ashcroft, Neil,Mermin, David

© 1976 by Harcourt, lnc

Физика твердого тела

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д.