ion beam

In the process of irradiation flat products may be continuously and uniformly displaced with respect to the ion beam.

Поверхностную обработку при этом проводят путем облучения пучком ионов с атомной массой А > Юа.е.м.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

[0021] According to the present invention, irradiation is conducted by an ion beam with a power of 20-40 keV, an ion current density of 0.1-1 mA/cm2 for from about 5 to about 200 seconds.

Облучение производят пучком ионов энергией 20-40 кэВ, плотностью ионного тока 0,1-1 мА/см в течение 5 - 200 с.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The reason is that a focused ion beam with the necessary (aforementioned) ion energy can be obtained and used only in high vacuum (10 -6 torr).

Объясняется это тем, что сфокусированный ионный пучок с необходимой (вышеуказанной) энергией ионов можно получать и использовать лишь в высоком вакууме (более 10 -6 Тор).

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

These effects are apparently stimulated by the formation and propagation of microshock waves formed as the result of atomic displacement/compact cascades caused by ion beam irradiation.

Эти эффекты обусловлены образованием и распространением микроударных волн, формируемых в результате эволюции плотных каскадов атомных смещений, возникающих при облучении.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The higher ion beam current density, the shorter the time of irradiation.

Чем выше плотность ионного тока, тем меньше время облучения.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

In the process of irradiation flat products may be continuously and uniformly displaced with respect to the ion beam.

Листовой прокат в процессе облучения можно непрерывно и равномерно перемещать относительно ионного пучка.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The ion beam is generated by application of high voltage (up to 50 kV) between the electrodes of the ion-optical system.

Ионный пучок генерируется при приложении высокого напряжения (до 50 кВ) между электродами ионно-оптической системы.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

Implementation of the disclosed method does not require high vacuum, because irradiation is performed with an unfocused ion beam with 10 keV ion energy in the pulse mode.

Для реализации заявленного способа не требуется высокого вакуума, т.к. облучение осуществляется не сфокусированным ионным пучком с энергией ионов менее 10 кэВ в импульсном режиме.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

The duration of ion beam irradiation is specific to alloy composition, processed sheet thickness, and is affected by whether the sheet is treated on one or two sides.

Продолжительность облучения определялась составом сплава, толщиной обрабатываемого листа, а также тем, с двух сторон или с одной стороны обрабатывался лист.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

During irradiation, the sheet is continuously and uniformly displaced with respect to the ion beam, i.e. relative to the ion source.

Лист в процессе обработки непрерывно и равномерно перемещался относительно пучка ионов, т.е. относительно ионного источника.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

In addition, it is important to note that the time of irradiation necessary for obtaining appropriate treatment depends on ion beam current density.

Кроме этого, самое главное, время облучения, необходимое для достижения одного и того же состояния сплава, зависит от плотности ионного тока.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

During irradiation, the sheet is continuously and uniformly displaced with respect to the ion beam.

Лист в процессе обработки непрерывно и равномерно перемещался относительно пучка ионов, т.е. относительно ионного источника.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

The closest to the claimed method is a method of marking diamond by a focused ion beam.

Наиболее близким к заявленному способу является способ маркировки алмазов сфокусированным ионным пучком.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

First, the polished surface of the diamond is coated with a thin layer of conductive material, such as gold; to remove the charge generated on its surface due the impact of the ion beam.

Предварительно на полированную поверхность алмаза наносят тонкий слой проводящего материала, например, золота для снятия заряда, образующегося на его поверхности от ионного пучка.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

During treatment, the sheet is continuously and uniformly displaced with respect to the ion beam, i.e. relative to the ion source.

Лист в процессе обработки непрерывно и равномерно перемещался относительно пучка ионов, т.е. относительно ионного источника.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011