sublayer

The LLC sublayer also provides Service Access Points (SAPs), which are reference points that other computers sending information can refer to and use to communicate with the upper layers of the OSI stack on a particular receiving node.

Он также предоставляет точки доступа к службам (service access points - SAP); другие компьютеры, отправляющие информацию, могут ссылаться на эти точки и использовать их для коммуникации с верхними уровнями принимающего узла.

Habraken, Joe / Practical Cisco RoutersХабракен, Джо / Как работать с маршрутизаторами Cisco

Как работать с маршрутизаторами Cisco

Хабракен, Джо

© Перевод на русский язык ДМК Пресс, 2005

© 1999 by Que Corporation

Practical Cisco Routers

Habraken, Joe

© 1999 by Que Corporation

The PMD sublayer modulates the whitened bit stream using one of the following modulation techniques: Differential binary phase shift keying (DBPSK) for 1 Mbps operation

Подуровень PMD модулирует отбеленный поток битов, используя следующие методы модуляции: Двоичная относительная фазовая манипуляция (differential binary phase shift keying, DBPSK) для скорости передачи 1 Мбит/с.

Roshan, Pejman,Leary, Jonathan / 802.11 Wireless LAN FundamentalsРошан, Педжман,Лиэри, Джонатан / Основы построения беспроводных локальных сетей стандарта 802.11

Основы построения беспроводных локальных сетей стандарта 802.11

Рошан, Педжман,Лиэри, Джонатан

© Cisco Press, 2004

© Издательский дом "Вильямc", 2004

802.11 Wireless LAN Fundamentals

Roshan, Pejman,Leary, Jonathan

© 2004 Cisco Systems, Inc.

In the output regions together with the heterostructure layers there is a semiconducting leak-in layer consisting of at least one sublayer and raising above the external surface of the generation regions.

В областях вывода вместе со слоями гетероструктуры имеется полупроводниковый слой втекания, состоящий по крайней мере из одного подслоя и возвышающийся над наружной поверхностью областей генерации.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

On the said surface of heterostructure the metallization sublayer with the high coefficient of emission reflection is placed.

При этом с указанной стороны на поверхности геτероструктуры размещают подслой металлизации с высоким коэффициентом отражения излучения.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

In the output region together with layers of the laser heterostructure there is a semiconducting layer for leak-in of emission raising above the amplification region and consisting of at least one sublayer.

В области вывода вместе со слоями лазерной гетероструктуры имеется возвышающийся над областью усиления и состоящий по крайней мере из одного подслоя полупроводниковый слой втекания излучения.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

On the said side on the surface of heterostructure the metallization sublayer with the high coefficient of emission reflection is placed.

При этом с указанной стороны на поверхности гетероструктуры размещают подслой металлизации с высоким коэффициентом отражения излучения.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

At that, in the heterostructure at least two reflective layers are placed additionally at least as one on each side of the active layer; the said reflective layers have refractive indices lesser than and formed at least of one sublayer.

При этом в гетероструктуре дополнительно размещено по крайней мере два отражающих слоя, по крайней мере по одному с каждой стороны активного слоя, имеющие показатели преломления меньшие, чем пэф и сформированные по крайней мере из одного подслоя.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

In the said heterostructure at least two reflective layers are placed additional, at least as one on each side of the active layer; the said reflective layers have refractive indices lesser than n^and formed at least of one sublayer.

Причём в гетероструктуре дополнительно размещено по крайней мере два отражающих слоя, по крайней мере по одному с каждой стороны активного слоя, имеющие показатели преломления меньшие, чем пзф и сформированные по крайней мере из одного подслоя.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

To the external surface of the amplification regions 8 the metallization sublayer 13 is attached made of silver with the reflection coefficient of emission equal to 98%.

На наружную поверхность областей усиления 8 присоединен подслой металлизации 13 из серебра с коэффициентом отражения излучения равным 98%.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

The sublayer of the n-type was placed on the side of the reflective layer of the p-type, and the sublayer of the p-type was placed on the side of the reflective layer of the n-type and the substrate of the n-type.

Подслой п-типа размещен со стороны отражающего слоя р-типа, а подслой р-типа - со стороны отражающего слоя п-типа и подложки п-типа.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

The active layer in the proposed HS does not contain sublayers and can be at least one.

Активный слой в предложенной ГС не содержит подслои и может быть по крайней мере один.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

As shown by calculations for the proposed SOA, just by location as well as by choice of thicknesses and refractive indices of the main adjusting layer (or its sublayers) the most value of the said resulting amplification is achieved.

Как показано расчётами в предложенном ПОУ именно расположением, а также выбором толщин и показателей преломления основного настроечного слоя (или его подслоёв) достигается наибольшая величина указанного выше результирующего усиления.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

The active layer in the proposed HS does not contain sublayers and can be at least a single one.

Активный слой в предложенной ГС не содержит подслои и может быть по крайней мере один.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

The reflective layers 5, 6 (without sublayers) were made of Al0 45Ga0 55AS.

Отражающие слои 5, 6 (без подслоёв) выполнены из Alo,45Gao,55As.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

In operation of the Laser 30 such sublayers provided the tunnel passage of current from one active layer to another, and at the same current, but approximately at the doubled applied voltage, output power increased by the power of two.

При работе Лазера 30 такие подслои обеспечивают туннельное протекание тока от одного активного слоя к другому, при этом при одном и том же токе, но примерно при удвоенном приложенном напряжении, выходная мощность излучения увеличилась в два раза.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011