transistor

At the same time, highsensitive one-transistor cell with piezoelectric floating gate (1) provides for fast registration of the resilience wave induced by application of reading potentials to ferroelectric memory cell (1a).

В то же время, высокочувствительная одно-транзисторная ячейка с пьезоэлектрическим плавающим затвором (1) позволяет быстро регистрировать волны упругой деформации, вызванные приложением считывающих потенциалов к ферроэлектрической ячейке памяти (1a).

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

It is rather efficient and expedient to produce memory element, containing field transistor, which channel (8) is made on the base of the semiconductor with piezoelectric properties in particular on the basis of AlN, AsGa, etc.

Весьма эффективно и целесообразно изготовить элемент памяти, содержащий полевой транзистор, канал (8) которого выполнен на основе полупроводника обладающего пьезоэлектрическими свойствами в частности, на основе AlN, AsGa и т.д.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

The transistors for each bit in a memory chip are most efficiently arranged in a grid, using a row and column scheme to access each transistor.

Поскольку транзисторы для каждого бита в микросхеме памяти размещены в узлах решетки, наиболее рационально адресовать каждый транзистор, используя номер столбца и строки.

Mueller, Scott / Upgrading and Repairing LaptopsМюллер, Скотт / Модернизация и ремонт ноутбуков

Модернизация и ремонт ноутбуков

Мюллер, Скотт

© Que Corporation, 2004

© Издательский дом "Вильямс", 2006

Upgrading and Repairing Laptops

Mueller, Scott

© 2006 by Que Corporation

As it is known main reasons of charge loss on the transistor ferroelectric gate in 1T FeRAM one-transistor cell are connected with depolarization effect and charge leakage conditioned by finite conductivity of ferroelectric material.

Как известно, основные причины потери заряда на ферроэлектрическом затворе транзистора в одно-транзисторной ячейки IT FeRAM связаны с эффектом деполяризации и утечкой заряда, обусловленного конечной проводимостью фер- роэлектрического материала.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

This changed drastically with what was probably the Bell Labs’ greatest scientific achievement: the transistor.

Однако ситуация резко изменилась с момента, когда ученые из лаборатории Bell сделали, пожалуй, свое самое крупное изобретение — транзистор.

Drucker, Peter F. / The Essential DruckerДрукер, Питер Ф. / Энциклопедия менеджмента

Энциклопедия менеджмента

Друкер, Питер Ф.

© Издательский дом "Вильямс", 2004

© Peter F. Drucker, 2001

The Essential Drucker

Drucker, Peter F.

© 2001 by Peter F. Drucker

Thus, during pulse heating of ferroelectric gate of 1T FeRAM one-transistor cell, it is possible to generate charges on its surface that will in turn result in changing value of current running through the transistor.

Таким образом, произведя импульсный нагрев ферроэлектрического затвора в одно-транзисторной ячейки IT FeRAM, можно сгенерировать заряды на его поверхности, что приведет в свою очередь к изменению величины тока, протекаемого через транзистор.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Instead of wasting all your time trying to build your own, you ought to buy a brand new transistor job.

Чем тратить силы и время на то, чтобы это собрать, проще пойти в аудиомагазин и купить себе новенький на транзисторах.

Murakami, Haruki / Dance, dance, danceМураками, Харуки / Дэнс, дэнс, дэнс

Дэнс, дэнс, дэнс

Мураками, Харуки

© Haruki Murakami 1991 "Dansu, dansu, dansu"

© Дмитрий Коваленин, 2001

Dance, dance, dance

Murakami, Haruki

© 1994 by Kodansha International Ltd.

And the transistor shall inherit the earth."

Вот и после нас на Земле станет править транзистор.

Clarke, Arthur Charles / The PacifistКларк, Артур Чарльз / Пацифист

Пацифист

Кларк, Артур Чарльз

The Pacifist

Clarke, Arthur Charles

© 1956 by King Size Magazines

© renewed 1985 by Arthur C. Clarke

© 1957 by Arthur С. Clarke

Thus, (1T FeRAM) one-transistor memory element is the most prospective among ferroelectric memory elements; it has small size and fast access to cells.

Так одно-транзисторный элемент памяти (IT FeRAM) является наиболее перспективным из класса ферроэлектрических элементов памяти, который харак- тершуется малым размером, высокой скоростью доступа к ячейкам.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

For example, consider a transistor-based ROM cell that can hold a single bit of data.

Рассмотрим, например, транзисторную ячейку ПЗУ, которая может хранить один бит данных.

Maxfield, Clive / The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and FlowsМаксфилд, Клайв / Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойца

Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойца

Максфилд, Клайв

© Издательский дом «Додэка-XXI», 2007

The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and Flows

Maxfield, Clive

© 2004, Mentor Graphics Corporation and Xilinx, Inc.

Signals from LFF 9 are fed to the high-speed comparator 10 generating signals at the TTL (transistor-transistor logic) level when a preset threshold level of an input signal from LFF 9 is reached.

С ФНЧ 9 сигналы подаются быстродействующий компаратор 10, генерирующий сигналы ТТЛ (транзисторно- транзисторной логики) уровня при превышении заданного порога срабатывания входного сигнала с ФНЧ 9.

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

The resilience causes the charge on the surface of the piezoelement that is at the same time the transistor floating gate.

Данная упругая деформация вызывает возникновение заряда на поверхности пьезоэлемента, который одновременно является плавающим затвором транзистора.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Information exchange between ferroelectric memory element and reading transistor with ferroelectric gate going through the acoustical channel serves to develop fast nondestructive data-reading method.

Обмен информации по акустическому каналу между ферроэлектрическим элементом памяти и считывающим транзистором с ферроэлектрическим затвором позволяет создать быстрый и неразрушаемый метод считывания информации.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Reading proceeds as follows: the electrode gate (2) is supplied with voltage; this voltage opens the transistor and sets up maximum current running through the channel.

Считывание происходит следующим образом, на электродный затвор (2) подается напряжение, которое открывает транзистор и задает максимальный ток протекаемый по проводящему каналу.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

The most common type is 1T-1C FeRAM transistor-capacitor cell.

Наиболее распространенным типом является транзисторно-конденсаторная ячейка IT- 1С FeRAM.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011