ЭМИ

ЭМИ гипервысоких частот, начиная с УФ излучения, как известно, имеются в изобилии на обширном пространстве нашей планеты.

The hyper-high frequency EMR, beginning with the UV radiation is known to abound across a vast region of our planet.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Конструктивные решения авторов, следовательно, предназначены для широкого диапазона ЭМИ: от видимой и до невидимой части - выше УФ и ниже красной части (ближнее ИК, среднее ИК и дальнее ИК) излучения.

Therefore, the inventive constructive solutions are suitable for a wide EMR band ranging from the visible portion to the invisible portion—above UV and below IR (near-IR, intermediate-IR and far-IR) radiation.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

При этом независимо от диапазона преобразуемых частот ЭМИ расстояния между собирающими областями, токособирающими и токосъемными шинами выполняются сколь угодно малыми.

At the same time, regardless of the EMR frequency band to be converted, indefinitely small distances between the collecting regions, current-collecting and current-pickup buses are provided.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Таким образом, причиной гибели ННЗ в условиях воздействия падающего ЭМИ являются ничтожно малые времена жизни - и соответственно малые длины их диффузионных пробегов.

Thus, MCC destruction under exposure to the incident EMR is explained by the negligibly short lifetimes and accordingly short lengths of their diffusion ranges.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Т.е. высокое содержание электронов в п+ слое является причиной отсекания значительной части коротковолнового спектра ЭМИ.

That is, a high content of electrons in the n+ layer is a reason for cutting off a considerable part of the EMR short-wave spectrum.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

В отличие от конструкций представ- ленных в примерах 1-4 предлагаемые варианты ФЭП могут эффективнее преобразовывать широкий диапазон оптически видимого и невидимого ЭМИ, в особенности УФ часть спектра ЭМИ и выше.

Unlikely the designs illustrated in Examples 1-4, the PEC according to these embodiments can more efficiently convert a wide range of the optically visible and invisible EMR, especially the UV and upper regions of the EMR spectrum.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

При поглощении ЭМИ в объеме полупроводника образуются неравновесные неосновные носители заряда (ННЗ) - электронно-дырочные пары (ЭДП), которые разделяются посредством диффузии.

Non-equilibrium minority charge carriers (MCC)—electron-hole pairs (EHP) which are caused to separate by diffusion are formed within the semiconductor bulk as the EMR is absorbed.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

В таблице 1 для примера приведены характеристики (напряжение холостого хода и ток короткого замыкания) СЭ в широком диапазоне ЭМИ.

In Table 1, SC characteristics (open-circuit voltage and short-circuit current) are given as an example of a wide EMR range.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Коротковолновая часть спектра ЭМИ, в частности, УФ излучение, несмотря на малую его долю в солнечном спектре (около 5 %) представляет из-за высокой величины энергии кванта (соответственно квантового выхода) значительный интерес.

The EMR short-wave spectrum region, in particular UV radiation is of considerable interest despite its small share in the solar spectrum (about 5%) due to a high quantum energy value (and accordingly quantum yield).

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

При этом на кривой приращения плотности тока от длины ЭМИ образуются три максимума поглощения один в холодной части на длине 500 нм, другой в видимой, а третий в ИК спектре на длине 1700 мкм.

At the same time, three absorption maximums are formed along the current density increment-EMR length curve, one—within the cold region at 500 nm, another one—within the visible region, and the third one within the IR region at 1700 μm.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

В этих СЭ хорошо обеспечивается токосбор как длинноволновой части спектра ЭМИ, так и коротковолновой.

These SC ensure good current collection both within the long-wave and short-wave regions of the EMR spectrum.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

При этом в такой конструкции преобразователя за счет большой доли вертикальных р-п переходов существенно увеличивается поглощение падающего ЭМИ.

At the same time, the absorption of the incident EMR is significantly enhanced in the converter with such design due to a large share of vertical p-n-junctions.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

При этом значительная часть спектра внешне- го ЭМИ, достигающая поверхности Земли, остается вне сферы преобразования.

As this takes place, a considerable portion of the external EMR reaching the earth surface is left out of the conversion range.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Для земной солнечной энергетики интерес значителен тем, что значительная часть ИК спектра, в частности, ЭМИ длиной до 4 мкм свободно без потерь достигают земной поверхности.

This interest matters for the world solar power engineering because a considerable portion of the IR spectrum, in particular EMR of up to 4 μm freely reaches the earth surface without losses.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Первая сторона (ПС), вторая сторона (ВС) — стороны полупроводниковой подложки или преобразователя, которые могут подвергаться воздействию или облучению ЭМИ;

First side (FS), second side (SS) is understood as the sides of the semiconductor substrate or converter, which may be subject to the EMR exposure or irradiation;

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011