полупроводник

В результате полупроводник р-типа получает избыточный положительный заряд, а полупроводник п-типа - отрицательный.

As a result, the p-type semiconductor is given an excessive positive charge and the n-type semiconductor a negative one.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

широкозонный полупроводник обеспечивает в силу меньшей зависимости от температуры работоспособность при существенно более высоких температурах рабочей среды (до 500 °С и более) и больших частотах следования импульсов;

wide-gap semiconductor due to less dependence on temperature ensures a capacity for work at significantly higher temperatures (up to 500 EC and even more) and at higher pulse repetition rates;

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Упорядоченно и однородно ориентированно внедренные в полупроводник наночастицы дают дополнительные узкие плазмонные резонансы.

The nanoparticles inserted into the semiconductor in an orderly and uniformly oriented manner yield additional narrow plasmon resonances.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

Эта проблема актуальна для технологии изготовления оптики и активных сред для мощных лазеров, сверхчистых материалов для оптических линий связи и изготовления сверхчистых полупроводников для электронной промышленности.

The problem is topical for the optics producing technology and the technologies of producing active mediums for powerful lasers, super-pure materials for optical connecting lines and super-pure semi-conductors for electronic industry.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

Обусловлена тем, что фазы Mg2Si, FeSi и Si являются полупроводниками.

It is conditioned in that phases of Mg2Si, FeSi and Si are semiconductors.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Чем ближе к поверхности полупроводника 3 наночастицы, тем сильнее увеличивается плотность энергии переизлученного электромагнитного излучения по сравнению с плотностью энергии падающего излучения 7.

The closer to the surface of semiconductor 3 the nanoparticles are, the more strongly the energy density of the re-emitted electromagnetic radiation is increased, as compared with the energy density of incident radiation 7.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

Таким образом можно качественно объяснить все градации проводимости и ее зависимость от температуры; в настоящее время существует удовлетворительная теория полупроводников (Фаулер, Уилсон).

In this way all gradations of conductivity and its dependence on temperature can be explained qualitatively, and there exists to-day a satisfactory theory of semi-conductors (Fowler, "Wilson).

Born, Max / Atomic PhysicsБорн, Макс / Атомная физика

Атомная физика

Борн, Макс

Atomic Physics

Born, Max

Весьма эффективно и целесообразно изготовить элемент памяти, содержащий полевой транзистор, канал (8) которого выполнен на основе полупроводника обладающего пьезоэлектрическими свойствами в частности, на основе AlN, AsGa и т.д.

It is rather efficient and expedient to produce memory element, containing field transistor, which channel (8) is made on the base of the semiconductor with piezoelectric properties in particular on the basis of AlN, AsGa, etc.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Такие полупроводники обладают высокой чувствительностью к упругим деформациям и одновременно характеризуются высокой подвижностью носителей заряда.

Such semiconductors have high sensitivity to resilience and at the same time are characterized by high mobility of charge carriers.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Такие уравнения вполне точно описывают динамику электронов и дырок в полупроводниках.

Such equations describe quite accurately the dynamics of electrons and holes in semiconductors.

Ashcroft, Neil,Mermin, David / Solid state physicsАшкрофт, Н.,Мермин, Д. / Физика твердого тела

Физика твердого тела

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д.

Solid state physics

Ashcroft, Neil,Mermin, David

© 1976 by Harcourt, lnc

Известно, что статическое электричество может распространяться только по поверхности проводника или полупроводника, не проникая вглубь.

It is common knowledge that static electricity can only propagate over the surface of a conductor or semiconductor, without penetrating deep inside.

http://www.patentlens.net/ 11.11.2011

http://www.patentlens.net/ 11.11.2011

Другим отличием является то, что поджигатель выполнен из поликристаллического материала на основе полупроводника с нелинейной вольтамперной характеристикой с пороговым напряжением не более 5 кВ.

Another distinction is that the igniter is made of polycrystalline material based on a semiconductor with nonlinear current-voltage curve, having threshold voltage not greater than 5 kV.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Электроны дрейфуют по объему полупроводника и поглощаются на аноде прибора.

Electrons are drifting in the semiconductor's space and being absorbed by the device's anode.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

При поглощении ЭМИ в объеме полупроводника образуются неравновесные неосновные носители заряда (ННЗ) - электронно-дырочные пары (ЭДП), которые разделяются посредством диффузии.

Non-equilibrium minority charge carriers (MCC)—electron-hole pairs (EHP) which are caused to separate by diffusion are formed within the semiconductor bulk as the EMR is absorbed.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Не исключается возможность использования полупроводников для формирования удерживающего слоя.

The possibility of the use of a semiconductor for the formation of the confining layer is not excluded.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011