about icon-addNote android4 Answer apple4 icon-appStoreEN icon-appStoreES icon-appStorePT icon-appStoreRU Imported Layers Copy 7 icon-arrow-spined icon-ask icon-attention icon-bubble-blue icon-bubble-red ButtonError ButtonLoader ButtonOk icon-cake icon-camera icon-card-add icon-card-calendar icon-card-remove icon-card-sort chrome-extension-ru chrome-extension-es-mx chrome-extension-pt-br chrome-extension-ru comment comment icon-cop-cut icon-cop-star Cross Dislike icon-editPen icon-entrance icon-errorBig facebook flag flag_vector icon-globe icon-googlePlayEN icon-googlePlayRU icon-greyLoader icon-cake Heart 4EB021E9-B441-4209-A542-9E882D3252DE Created with sketchtool. Info Kebab icon-lamp icon-lampBig icon-learnHat icon-learning-hat Dislike Loup Loup icon-more icon-note icon-notifications icon-pen Pencil icon-play icon-plus-light icon-plus icon-rosie-cut Rune scrollUp Share-icon Shevron-Down Shevron Left Shevron Right sound sound1 sound2 sound3 sound4 sound2 icon-star Swap icon-translate Trash icon-tutor-ellipsis icon-tutor-flip Tutor folder icon icon-tutor-learned icon-twoWayArrow Mezhdunarodny_logotip_VK vk icon-word pen_icon Logo Logo Logo
without examplesFound in 8 dictionaries

The Universal Dictionary
  • It is intended for a full-text search and it significantly expands the possibilities of working with lexical items from the Russian glossary of LingvoUniversal. Contains usage examples, synonyms, and antonyms.

полупроводник

м.р.; физ.

semi-conductor, transistor

Learning (Ru-En)

полупроводник

м физ

semiconductor, transistor

Unlock all free
thematic dictionaries

Examples from texts

В результате полупроводник р-типа получает избыточный положительный заряд, а полупроводник п-типа - отрицательный.
As a result, the p-type semiconductor is given an excessive positive charge and the n-type semiconductor a negative one.
широкозонный полупроводник обеспечивает в силу меньшей зависимости от температуры работоспособность при существенно более высоких температурах рабочей среды (до 500 °С и более) и больших частотах следования импульсов;
wide-gap semiconductor due to less dependence on temperature ensures a capacity for work at significantly higher temperatures (up to 500 EC and even more) and at higher pulse repetition rates;
Упорядоченно и однородно ориентированно внедренные в полупроводник наночастицы дают дополнительные узкие плазмонные резонансы.
The nanoparticles inserted into the semiconductor in an orderly and uniformly oriented manner yield additional narrow plasmon resonances.
Эта проблема актуальна для технологии изготовления оптики и активных сред для мощных лазеров, сверхчистых материалов для оптических линий связи и изготовления сверхчистых полупроводников для электронной промышленности.
The problem is topical for the optics producing technology and the technologies of producing active mediums for powerful lasers, super-pure materials for optical connecting lines and super-pure semi-conductors for electronic industry.
Обусловлена тем, что фазы Mg2Si, FeSi и Si являются полупроводниками.
It is conditioned in that phases of Mg2Si, FeSi and Si are semiconductors.
Чем ближе к поверхности полупроводника 3 наночастицы, тем сильнее увеличивается плотность энергии переизлученного электромагнитного излучения по сравнению с плотностью энергии падающего излучения 7.
The closer to the surface of semiconductor 3 the nanoparticles are, the more strongly the energy density of the re-emitted electromagnetic radiation is increased, as compared with the energy density of incident radiation 7.
Таким образом можно качественно объяснить все градации проводимости и ее зависимость от температуры; в настоящее время существует удовлетворительная теория полупроводников (Фаулер, Уилсон).
In this way all gradations of conductivity and its dependence on temperature can be explained qualitatively, and there exists to-day a satisfactory theory of semi-conductors (Fowler, "Wilson).
Born, Max / Atomic PhysicsБорн, Макс / Атомная физика
Атомная физика
Борн, Макс
Atomic Physics
Born, Max
Весьма эффективно и целесообразно изготовить элемент памяти, содержащий полевой транзистор, канал (8) которого выполнен на основе полупроводника обладающего пьезоэлектрическими свойствами в частности, на основе AlN, AsGa и т.д.
It is rather efficient and expedient to produce memory element, containing field transistor, which channel (8) is made on the base of the semiconductor with piezoelectric properties in particular on the basis of AlN, AsGa, etc.
Такие полупроводники обладают высокой чувствительностью к упругим деформациям и одновременно характеризуются высокой подвижностью носителей заряда.
Such semiconductors have high sensitivity to resilience and at the same time are characterized by high mobility of charge carriers.
Такие уравнения вполне точно описывают динамику электронов и дырок в полупроводниках.
Such equations describe quite accurately the dynamics of electrons and holes in semiconductors.
Ashcroft, Neil,Mermin, David / Solid state physicsАшкрофт, Н.,Мермин, Д. / Физика твердого тела
Физика твердого тела
Ашкрофт, Н.,Мермин, Д.
Solid state physics
Ashcroft, Neil,Mermin, David
© 1976 by Harcourt, lnc
Известно, что статическое электричество может распространяться только по поверхности проводника или полупроводника, не проникая вглубь.
It is common knowledge that static electricity can only propagate over the surface of a conductor or semiconductor, without penetrating deep inside.
Другим отличием является то, что поджигатель выполнен из поликристаллического материала на основе полупроводника с нелинейной вольтамперной характеристикой с пороговым напряжением не более 5 кВ.
Another distinction is that the igniter is made of polycrystalline material based on a semiconductor with nonlinear current-voltage curve, having threshold voltage not greater than 5 kV.
Электроны дрейфуют по объему полупроводника и поглощаются на аноде прибора.
Electrons are drifting in the semiconductor's space and being absorbed by the device's anode.
При поглощении ЭМИ в объеме полупроводника образуются неравновесные неосновные носители заряда (ННЗ) - электронно-дырочные пары (ЭДП), которые разделяются посредством диффузии.
Non-equilibrium minority charge carriers (MCC)—electron-hole pairs (EHP) which are caused to separate by diffusion are formed within the semiconductor bulk as the EMR is absorbed.
Не исключается возможность использования полупроводников для формирования удерживающего слоя.
The possibility of the use of a semiconductor for the formation of the confining layer is not excluded.

Add to my dictionary

полупроводник1/8
Masculine nounsemi-conductor; transistor

User translations

No translations for this text yet.
Be the first to translate it!

Collocations

объемный полупроводник
bulk semiconductor
комплементарный металлооксидный полупроводник
CMOS
комплементарный металло-оксидный полупроводник
CMOS
скомпенсированный полупроводник
compensated semiconductor
сложный полупроводник
compound semiconductor
вырожденный полупроводник
degenerate semiconductor
вырожденный полупроводник
degenerated semiconductor
вырожденный полупроводник
degenerative semiconductor material
одноэлементный полупроводник
elemental semiconductor
электронный полупроводник
electronic semiconductor
примесный полупроводник
extrinsic material
несобственный полупроводник
extrinsic semiconductor
полупроводник примесный
extrinsic semiconductor
полупроводник с примесями
extrinsic semiconductor
полевой транзистор со структурой металл - сегнетоэлектрик - полупроводник
ferroelectric FET

Word forms

полупроводник

существительное, неодушевлённое, мужской род
Ед. ч.Мн. ч.
Именительныйполупроводникполупроводники
Родительныйполупроводникаполупроводников
Дательныйполупроводникуполупроводникам
Винительныйполупроводникполупроводники
Творительныйполупроводникомполупроводниками
Предложныйполупроводникеполупроводниках