транзисторный

Так одно-транзисторный элемент памяти (IT FeRAM) является наиболее перспективным из класса ферроэлектрических элементов памяти, который харак- тершуется малым размером, высокой скоростью доступа к ячейкам.

Thus, (1T FeRAM) one-transistor memory element is the most prospective among ferroelectric memory elements; it has small size and fast access to cells.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Это одно-конденсаторной элемент памяти 1С FeRAM, площадь которой составляет 4F2 и одно-транзисторный элемент памяти (IT FeRAM) с площадью около 5F2.

These are 1C FeRAM one-capacitor memory element with the area of 4F2 and 1T FeRAM one-transistor memory element with the area of approximately 5F2.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

В то же время, высокочувствительная одно-транзисторная ячейка с пьезоэлектрическим плавающим затвором (1) позволяет быстро регистрировать волны упругой деформации, вызванные приложением считывающих потенциалов к ферроэлектрической ячейке памяти (1a).

At the same time, highsensitive one-transistor cell with piezoelectric floating gate (1) provides for fast registration of the resilience wave induced by application of reading potentials to ferroelectric memory cell (1a).

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Как известно, основные причины потери заряда на ферроэлектрическом затворе транзистора в одно-транзисторной ячейки IT FeRAM связаны с эффектом деполяризации и утечкой заряда, обусловленного конечной проводимостью фер- роэлектрического материала.

As it is known main reasons of charge loss on the transistor ferroelectric gate in 1T FeRAM one-transistor cell are connected with depolarization effect and charge leakage conditioned by finite conductivity of ferroelectric material.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Таким образом, произведя импульсный нагрев ферроэлектрического затвора в одно-транзисторной ячейки IT FeRAM, можно сгенерировать заряды на его поверхности, что приведет в свою очередь к изменению величины тока, протекаемого через транзистор.

Thus, during pulse heating of ferroelectric gate of 1T FeRAM one-transistor cell, it is possible to generate charges on its surface that will in turn result in changing value of current running through the transistor.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Рассмотрим, например, транзисторную ячейку ПЗУ, которая может хранить один бит данных.

For example, consider a transistor-based ROM cell that can hold a single bit of data.

Максфилд, Клайв / Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойцаMaxfield, Clive / The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and Flows

The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and Flows

Maxfield, Clive

© 2004, Mentor Graphics Corporation and Xilinx, Inc.

Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойца

Максфилд, Клайв

© Издательский дом «Додэка-XXI», 2007

С ФНЧ 9 сигналы подаются быстродействующий компаратор 10, генерирующий сигналы ТТЛ (транзисторно- транзисторной логики) уровня при превышении заданного порога срабатывания входного сигнала с ФНЧ 9.

Signals from LFF 9 are fed to the high-speed comparator 10 generating signals at the TTL (transistor-transistor logic) level when a preset threshold level of an input signal from LFF 9 is reached.

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

Наиболее распространенным типом является транзисторно-конденсаторная ячейка IT- 1С FeRAM.

The most common type is 1T-1C FeRAM transistor-capacitor cell.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Таким элементом является одно- транзисторная ячейка IT FeRAM. Этот тип элемента памяти характеризуется малыми размерами (5F2).

One of the mentioned elements is 1T FeRAM one-transistor cell characterized by its small size (5F2).

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Площадь элемента памяти на основе транзисторно-конденсаторная ячейка IT- 1С FeRAM составляет около 20-30 F2, т.е. по этому параметру существенно уступает одно-конденсаторной 1С и одно- транзисторной IT ячейкам ферроэлектрической памяти.

Area of memory element based on 1T-1C FeRAM transistor-capacitor cell is approximately 20-30 F2, this is the parameter in which it significantly concedes 1C one-capacitor and 1T one-transistor cells of ferroelectric memory.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Считается, что на Ближнем Востоке быстрое распространение транзисторных приемников содействует возрождению арабского национализма.

In the Middle East, the rapid spread of transistor radios is credited with having contributed to the resurgence of Arab nationalism.

Тоффлер, Элвин / Шок БудущегоToffler, Alvin / Future Shock

Future Shock

Toffler, Alvin

© 1970 by Alvin Toffler

Шок Будущего

Тоффлер, Элвин

© Alvin Toffler, 1970

© Перевод. К. Бурмистров, 2001

© Перевод. Л. Бурмистрова, 2001

© Перевод. Е. Комарова, 2001

© Перевод. В. Кулагина-Ярцева, 2001

© Перевод. А. Микиша, 2001

© Перевод. А. Мирер, 2001

© Перевод. И. Москвина-Тарханова, 2001

© Перевод. Е. Руднева, 2001

© Перевод. Н. Хмелик, 2001

Это одно-транзисторная ячейка IT FeRAM, состоящая из транзистора с затвором из ферроэлектрического материала; одно-конденсаторная ячейка 1С FeRAM.

These are: 1T FeRAM one-transistor cell composed of the transistor with the gate made from ferroelectric material, 1C FeRAM one-capacitor cell.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Эти свойства широко используются в различных методах визуализации зо изображения, но которые до сих пор не использованы при создании элементов памяти, в частности в элементах памяти на базе одно-транзисторной ячейки IT FeRAM.

These properties are widely used in various methods of image visualization but yet not applied in memory elements production in particular in memory elements based on 1T FeRAM one-transistor cell.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Однако, пьезоэлектрические свойства ферро- электрических материалов до сих пор не используются при создании элементов памяти, в частности в элементах памяти на базе одно-транзисторной ячейки IT FeRAM.

However piezoelectric properties of ferroelectric materials have not been yet used in memory elements production, in particular in memory elements based on 1T FeRAM one-transistor cell.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

К этому типу элементов памяти относятся: одно-конденсаторная ячейка 1С FeRAM, транзисторно-конденсаторная ячейка IT- 1С FeRAM и двойная ячейка 2T- 2C FeRAM.

This type of memory elements includes: 1C FeRAM one-capacitor cell, 1T-1C FeRAM transistor-capacitor cell and double cell 2T-2C FeRAM.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011