film material

The proposed film material with a wide range of electrophysical properties is intended to be used in microelectronics and radio engineering as versatile constructional material.

Предложенный пленочный материал с широким диапазоном электрофизических свойств предназначен для использования в микроэлектронике и радиотехнике в качестве универсального конструкционного материала.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

The known metallized film material is made under the roll technology in process of feeding of the polyester film through vacuum chamber, by means of deposition of metal from vapor phase with the aid of magnetron.

Известный пленочный металлизированный материал изготавливают по рулонной технологии в процессе протягивания полиэфирной пленки через вакуумную камеру осаждением металла из паровой фазы с помощью магнетрона.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

The film material can be either polyimide or poly—(substituted or non-substituted)—para-xylylene.

В качестве материала пленки может быть использован полиимид или поли (замещенного или незамещенного) р-ксилена.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

Polyester-base film material chiefly of polyethylene terephthalate has nanodimensional metal coating.

Пленочный материал на полиэфирной основе, преимущественно из полиэтилентерефталата, имеет наноразмерное металлическое покрытие.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

The essence of invention is explained with the drawing where the plant for the roll technology to produce the proposed film material is schematically illustrated.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где схематично изображена установка рулонной технологии изготовления предлагаемого пленочного материала.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

The offered film material with wide range of the electro-physical properties is meant for using in microelectronics and radio engineering in the capacity of the universal constructional material.

Предложенный пленочный материал с широким диапазоном электрофизических свойств предназначен для использования в микроэлектронике и радиотехнике в качестве универсального конструкционного материала.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Film material under items 4, different from the others because of the fact that V3-V5 part of the pores is made through.

Пленочный материал по п.4, ОТЛИЧАЮЩИЙСЯ тем, что 1/5-1/3 часть пор выполнены сквозными.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Film material under items 1, different from the others because of the fact, that porous metal layer which has factor of surface development in the range of 80-400 and is of 0.5-20 microns thick.

Пленочный материал по п.1, ОТЛИЧАЮЩИЙСЯ тем, что губчатый слой металла имеет фактор развития поверхности в диапазоне 80-400 и выполнен толщиной 0,5-20 мкм.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Film material under items 1, different from the others because of the fact, that polyester base is preliminary modified by surface riffles and/or by pores of size 0.2-6 microns and of total volume of 10-60%.

Пленочный материал по п.1, ОТЛИЧАЮЩИЙСЯ тем, что полиэфирная основа предварительно модифицирована рифлением поверхности и/или порами размером 0,2-6 мкм в суммарном объеме 10-60%.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Film material under items 4, different from the others because of the fact that riffles are formed 10-30 nanometers deep.

Пленочный материал по п.4, ОТЛИЧАЮЩИЙСЯ тем, что рифления выполнены глубиной 10-30 нм.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

The method according to claim 32, wherein the location of transmission areas in the film of opaque material and the distances between them allow restore predetermined image with required resolution.

Способ по п.З, отличающийся тем, что расположение областей пропускания в пленке непрозрачного материала и расстояния между ними имеют размеры, позволяющие восстановить заданное изображение с требуемым разрешением.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

The method according to claim 15, wherein the location of transmission areas in the film of opaque material and the distances between them allowing restore predetermined image with required resolution.

Способ по п. 15, отличающийся тем, что расположение областей пропускания в пленке непрозрачного материала и расстояния между ними имеют размеры, позволяющие восстановить заданное изображение с требуемым разрешением.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

The method according to claim 32, wherein the location of transmission areas set in the film of opaque material corresponds to the location of at least some parts of grid nodes with square cells.

Способ по п.32, отличающийся тем, что расположение множества областей пропускания в пленке непрозрачного материала соответствует расположению по крайней мере части узлов сетки с квадратными ячейками.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Prior art. 1—film of the material to be studied implemented as a membrane stretched on a wire ring; 2—wire ring; 3—glass substrate; 4—thin film of the studied material.

Предшествующий уровень техники. 1 — пленка исследуемого материала, выполненная в виде мембраны, натянутой на кольцо из проволоки, 2 - кольцо из проволоки, 3 - стеклянная подложка, 4 - тонкая пленка исследуемого материала.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

A part of one of the wafers is removed with remaining thin film of the material of the wafer (stage III).

Часть одной из пластин удаляется с оставлением тонкой пленки из материала этой пластины (этап III).

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011