semiconductor

Abnormally high conductivity (semiconductor, not much and not less).

Аномально высокая электропроводность (полупроводниковая, не выше и не ниже).

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

In regimes with low operating frequency and high switching charge per shot it is the most advantageous to use semiconductor material in the igniter unit.

В режимах с низкой рабочей частотой и большим коммутируемым в импульсе зарядом наиболее выгодно использование в устройстве поджига полупроводящего материала.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

The closer to the surface of semiconductor 3 the nanoparticles are, the more strongly the energy density of the re-emitted electromagnetic radiation is increased, as compared with the energy density of incident radiation 7.

Чем ближе к поверхности полупроводника 3 наночастицы, тем сильнее увеличивается плотность энергии переизлученного электромагнитного излучения по сравнению с плотностью энергии падающего излучения 7.

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

For raising efficiency of effecting pathological factors, in some cases it is expedient to apply in devices 3 various semiconductor structures, which enables to utilize a wider working range of the device.

Для повышения эффективности воздействия на патогенные факторы в некоторых случаях целесообразно использовать в приборах 3 различные полупроводниковые структуры, что позволяет реализовать более широкий рабочий диапазон устройства.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

It is rather efficient and expedient to produce memory element, containing field transistor, which channel (8) is made on the base of the semiconductor with piezoelectric properties in particular on the basis of AlN, AsGa, etc.

Весьма эффективно и целесообразно изготовить элемент памяти, содержащий полевой транзистор, канал (8) которого выполнен на основе полупроводника обладающего пьезоэлектрическими свойствами в частности, на основе AlN, AsGa и т.д.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

The substrate of claim 1 wherein the holder is formed of semiconductor material.

Подложка согласно п.1 отличающаяся тем, что тонкая пленка выполнена из двух или более материалов.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Therefore, for an efficient collection and elimination of the bulk recombination, the semiconductor plate should have a thickness (to be exact, a distance from the collecting region 2 to the deflecting regions 3) of less than F<f.

Поэтому для эффективности сбора и устранения объемной рекомбинации толщина полупроводниковой пластины (точнее расстояние от собирающей области 2 до отклоняющей области 3) должна быть размером менее F < f .

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

It is common knowledge that static electricity can only propagate over the surface of a conductor or semiconductor, without penetrating deep inside.

Известно, что статическое электричество может распространяться только по поверхности проводника или полупроводника, не проникая вглубь.

http://www.patentlens.net/ 11.11.2011

http://www.patentlens.net/ 11.11.2011

The semiconductor amplifying element as defined in claim 11 wherein the said stripe region of current flow made inclined to the cavity of the optical facet at an said appropriate angle.

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 11, отличающийся тем, что полосковая область протекания тока выполнена наклонной под соответствующим углом наклона к плоскости оптической грани.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Another distinction is that the igniter is made of polycrystalline material based on a semiconductor with nonlinear current-voltage curve, having threshold voltage not greater than 5 kV.

Другим отличием является то, что поджигатель выполнен из поликристаллического материала на основе полупроводника с нелинейной вольтамперной характеристикой с пороговым напряжением не более 5 кВ.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

In the described switch with low buffer gas pressure an ignition device based on semiconductor material with a contact element, connected with a trigger electrode, is used.

В этом коммутаторе с низким давлением балластного газа, использовано устройство поджига на основе полупроводящего материала с контактным элементом, соединенным с пусковым электродом.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

When the internal elements of a CPU or other semiconductor melt or burn, they give off very foul-smelling and possibly toxic fumes.

При расплавлении или выгорании внутренние элементы процессора или других полупроводниковых схем испускают крайне зловонный, а возможно, и ядовитый дым.

Aspinwall, Jim / PC Hacks: 100 Industrial-Strength Tips & ToolsЭспинуолл, Джим / Железо ПК. Трюки. 100 советов и рекомендаций профессионала

Железо ПК. Трюки. 100 советов и рекомендаций профессионала

Эспинуолл, Джим

© 2005 O'Reilly Media, Inc.

© Перевод на русский язык, ЗАО Издательский дом «Питер», 2005

© Издание на русском языке, ЗАО Издательский дом «Питер», 2005

PC Hacks: 100 Industrial-Strength Tips & Tools

Aspinwall, Jim

© 2005 O'Reilly Media, Inc.

The waveguides are made as microcones of dielectric or semiconductor material transparent for used radiation and are coated with the layer reflecting this radiation; actually they are the near-field optical waveguides.

Световоды выполнены в виде микроконусов из диэлектрического или полупроводникового материала, прозрачного для используемого излучения, которые покрыты отражающим это излучение покрытием, и, по существу, представляют собой ближнеполевые световоды.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

In this case, a single-mode semiconductor laser with the frequency doubling is used as a source of a laser radiation, the laser working at the wavelength of 532 nm and having the power of 2 MW and the linear polarization.

В качестве источника лазерного излучения, в данном случае используется^одномодовый полупроводниковый лазер с удвоением частоты, работающий на длине волны 532 нм и мощностью 2 мвт, имеющий линейную поляризацию.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

Non-equilibrium minority charge carriers (MCC)—electron-hole pairs (EHP) which are caused to separate by diffusion are formed within the semiconductor bulk as the EMR is absorbed.

При поглощении ЭМИ в объеме полупроводника образуются неравновесные неосновные носители заряда (ННЗ) - электронно-дырочные пары (ЭДП), которые разделяются посредством диффузии.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011