путь в решетке

Разумно имплантацию примесных добавок в кристаллическую решетку осуществлять путем использования ионов модификатора с энергией менее 10 кэВ, преимущественно, 5-6 кэВ.

It is advisable to perform the implantation of doping additives into the crystal lattice by using modifier ions with energy lees than 10 keV, preferably 5-6 keV.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Способ по п.1, отличающийся тем, что имплантацию примесных добавок в кристаллическую решетку осуществляют путем использования ионов модификатора с энергией менее 10 кэВ, преимущественно, 5-6 кэВ.

The method of claim 1, wherein the doping additives are implanted into the crystal lattice by using modifier ions with energy less than 10 keV, preferably 5-6 keV.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Разумно имплантацию примесных добавок в кристаллическую решетку осуществлять путем использования ионов модификатора с энергией менее 10 кэВ, преимущественно, 5-6 кэВ.

It is advisable to perform the implantation of doping additives into the crystal lattice by using modifier ions with energy less than 10 keV, preferably 5-6 keV.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011